Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Высокочастотные полевые транзисторы

Всего товаров: 2232

BLF8G22LS-270GVJ

  • blf8g22ls.270gvj
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура BLF8G22LS-270GV/ACC-6L/REEL13

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G22LS-270V,118

  • blf8g22ls.270v.118
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.1GHz 65V 17.7dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G24L-200P,118

  • blf8g24l.200p.118
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.35GHz 68V 16.5dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G24LS-200P,118

  • blf8g24ls.200p.118
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.35GHz 68V 16.5dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF10H6600PU

  • blf10h6600pu
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура BLF10H6600P/LDMOST/TUBE-BULK

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF10H6600PSU

  • blf10h6600psu
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура BLF10H6600PS/LDMOST/TUBE-BULK

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF8G22LS-270GV,12

  • blf8g22ls.270gv.12
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.1GHz 65V 17.7dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SD2932BW

  • sd2932bw
  • STMicroelectronics
  • РЧ транзисторы, МОП-структура HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AFT23H200-4S2LR6

  • aft23h200.4s2lr6
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF178XRS,112

  • blf178xrs.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 3-128MHz 110V 28dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF188XRU

  • blf188xru
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS Transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF178XR,112

  • blf178xr.112
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 3-128MHz 110V 28dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF2425M8L140J

  • blf2425m8l140j
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF2425M7LS140,118

  • blf2425m7ls140.118
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 12dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF2425M7L140,118

  • blf2425m7l140.118
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.45GHz 65V 17.5dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF2425M8LS140J

  • blf2425m8ls140j
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AFT26H050W26SR3

  • aft26h050w26sr3
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура HV9 2.6GHZ50W NI780-4L4L

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF7G24LS-160P,118

  • blf7g24ls.160p.118
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.35GHz 65V 18.5dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF7G24L-160P,118

  • blf7g24l.160p.118
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.35GHz 65V 18.5dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF2425M7LS250P,11

  • blf2425m7ls250p.11
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 13dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.

Применение

Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.

Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь