Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLF8G22LS-270GVJ
- blf8g22ls.270gvj
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура BLF8G22LS-270GV/ACC-6L/REEL13
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF8G22LS-270V,118
- blf8g22ls.270v.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.1GHz 65V 17.7dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF8G24L-200P,118
- blf8g24l.200p.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.35GHz 68V 16.5dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF8G24LS-200P,118
- blf8g24ls.200p.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.35GHz 68V 16.5dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF10H6600PU
- blf10h6600pu
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура BLF10H6600P/LDMOST/TUBE-BULK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF10H6600PSU
- blf10h6600psu
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура BLF10H6600PS/LDMOST/TUBE-BULK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF8G22LS-270GV,12
- blf8g22ls.270gv.12
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.1GHz 65V 17.7dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD2932BW
- sd2932bw
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AFT23H200-4S2LR6
- aft23h200.4s2lr6
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF178XRS,112
- blf178xrs.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 3-128MHz 110V 28dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF188XRU
- blf188xru
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF178XR,112
- blf178xr.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 3-128MHz 110V 28dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF2425M8L140J
- blf2425m8l140j
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF2425M7LS140,118
- blf2425m7ls140.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 12dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF2425M7L140,118
- blf2425m7l140.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.45GHz 65V 17.5dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF2425M8LS140J
- blf2425m8ls140j
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1AFT26H050W26SR3
- aft26h050w26sr3
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура HV9 2.6GHZ50W NI780-4L4L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF7G24LS-160P,118
- blf7g24ls.160p.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.35GHz 65V 18.5dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF7G24L-160P,118
- blf7g24l.160p.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.35GHz 65V 18.5dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BLF2425M7LS250P,11
- blf2425m7ls250p.11
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 13dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК