Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
NE5550979A-A
- ne5550979a.a
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- Silicon Power LDMOS FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE5550779A-T1-A
- ne5550779a.t1.a
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- Silicon Power LDMOS FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE5550779A-A
- ne5550779a.a
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- Silicon Power LDMOS FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE5550234-T1-AZ
- ne5550234.t1.az
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- Silicon Power MOS FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE5550234-AZ
- ne5550234.az
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- Silicon Power MOS FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE3521M04-T2-A
- ne3521m04.t2.a
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE3516S02-T1C-A
- ne3516s02.t1c.a
- RENESAS [Renesas Technology Corp]
- N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFE6VP61K25GSR5
- mrfe6vp61k25gsr5
- FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]
- RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VRF3933
- vrf3933
- MICROSEMI [Microsemi Corporation]
- RF POWER VERTICAL MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAGX-001214-500L0S
- magx.001214.500l0s
- MA-COM [M/A-COM Technology Solutions, Inc.]
- GaN on SiC Depletion-Mode Transistor Technology Internally Matched
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAGX-001214-500L00
- magx.001214.500l00
- MA-COM [M/A-COM Technology Solutions, Inc.]
- GaN on SiC Depletion-Mode Transistor Technology Internally Matched
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAGX-001090-600L00
- magx.001090.600l00
- MA-COM [M/A-COM Technology Solutions, Inc.]
- GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor Common-Source Configuration
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAGX-000912-500L00
- magx.000912.500l00
- MA-COM [M/A-COM Technology Solutions, Inc.]
- GaN on SiC Depletion-Mode Transistor Technology
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAGX-000040-00500P
- magx.000040.00500p
- MA-COM [M/A-COM Technology Solutions, Inc.]
- GaN on SiC D-Mode Transistor Technology
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAGX-000035-09000P
- magx.000035.09000p
- MA-COM [M/A-COM Technology Solutions, Inc.]
- GaN on SiC D-Mode Transistor Technology Common-Source Configuration
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAGX-000035-05000P
- magx.000035.05000p
- MA-COM [M/A-COM Technology Solutions, Inc.]
- GaN on SiC D-Mode Transistor Technology Common-Source Configuration
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAGX-000035-01500P
- magx.000035.01500p
- MA-COM [M/A-COM Technology Solutions, Inc.]
- GaN on SiC D-Mode Transistor Technology Common-Source Configuration
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAGX-000035-01000S
- magx.000035.01000s
- MA-COM [M/A-COM Technology Solutions, Inc.]
- GaN on SiC HEMT Power Transistor Common-Source configuration
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAGX-000035-010000
- magx.000035.010000
- MA-COM [M/A-COM Technology Solutions, Inc.]
- GaN on SiC HEMT Power Transistor Common-Source configuration
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ARF445
- arf445
- ADPOW [Advanced Power Technology]
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК