Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Высокочастотные полевые транзисторы

Всего товаров: 2232

MRFE6VS25LR5

  • mrfe6vs25lr5
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура VHV6E 25W50V NI360L

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AFT09MS007NT1

  • aft09ms007nt1
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура LANDMOBILE 7W PLD1.5W

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

SD2933W

  • sd2933w
  • ST Microelectronics
  • РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGHV40030F

  • cghv40030f
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом DC-6GHz 30W GaN Gain 16dB typ.

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGH40006P

  • cgh40006p
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом DC-6GHz 28V 6W Gain 13dB GaN HEMT

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGHV35150F

  • cghv35150f
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом 2.9-3.5GHz 150W GaN Gain@3.1Ghz 13.3dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGHV40100F

  • cghv40100f
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом DC-3GHz 100W GaN Gain 17.5dB typ.

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGHV96050F2

  • cghv96050f2
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом 7.9-9.6GHz 50W GaN Gain 11.dB typ.

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGHV96100F2

  • cghv96100f2
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом 7.9-9.6GHz 100W GaN Gain 12.4dB 50OHM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AFT23S160W02SR3

  • aft23s160w02sr3
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGH40006S

  • cgh40006s
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом DC-6GHz 28V 6W Gain 11.8dB GaN HEMT

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGHV14250F

  • cghv14250f
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом 1.2-1.4GHz 250W GaN Gain 18.2dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGHV96050F1

  • cghv96050f1
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом 7.9-9.6GHz 50W 50ohm Gain 15.6dB GaN HEMT

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGHV14500F

  • cghv14500f
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом 1.2-1.4GHz 500W GaN Gain 17.1dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MRFE6VS25GNR1

  • mrfe6vs25gnr1
  • Freescale Semiconductor
  • РЧ транзисторы, МОП-структура VHV6E 25W50V TO270-2G

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF184XRU

  • blf184xru
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура BLF184XR/ACC-4L/TUBE-BULK

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BLF188XRSU

  • blf188xrsu
  • NXP Semiconductors
  • РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS Transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

CGH55015F2

  • cgh55015f2
  • Cree, Inc.
  • РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом 4.5-6GHz 13Watt GaN Sm. Sig. Gain 12dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXZ210N50L

  • ixz210n50l
  •  IXYS [IXYS Corporation]
  • N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz MOSFE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NE5550979A-T1-A

  • ne5550979a.t1.a
  • RENESAS [Renesas Technology Corp]
  • Silicon Power LDMOS FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.

Применение

Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.

Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь