Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
AFT26HW050GSR3
- aft26hw050gsr3
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура HV9 2.6GHz50W NI780-4S4G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AFT09MP055GNR1
- aft09mp055gnr1
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура MV9 55W 12.5V TO270WB4G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AFT09MP055NR1
- aft09mp055nr1
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура MV9 55W 12.5V TO270WB4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
AFT21S232SR5
- aft21s232sr5
- Freescale Semiconductor
- РЧ транзисторы, МОП-структура HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMMBFJ309LT1G
- smmbfj309lt1g
- ON Semiconductor
- JFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
3SK294(TE85L,F)
- 3sk294.te85l.f
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF25M612,118
- blf25m612.118
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура 2.4-2.5GHz 65V 19dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
3SK293(TE85L,F)
- 3sk293.te85l.f
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE3520S03-A
- ne3520s03.a
- CEL
- РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом 20GHz NF .65dB Ga=13.5dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
3SK291(TE85L,F)
- 3sk291.te85l.f
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC250V2-500E
- stac250v2.500e
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура 600 W, 250 V SuperDMOS transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
3SK264-5-TG-E
- 3sk264.5.tg.e
- ON Semiconductor
- МОП-транзистор NCH DUAL GATE MOS FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF 998 E6327
- bf.998.e6327
- Infineon Technologies
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-CH 12 V 30 mA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3475TE12LF
- 2sk3475te12lf
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
3SK292(TE85R,F)
- 3sk292.te85r.f
- Toshiba
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET20045C
- let20045c
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR trans Ldmost 2.0 GHz N-Ch ENH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK209-BL(TE85L,F)
- 2sk209.bl.te85l.f
- Toshiba
- JFET N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAGX-000035-015000
- magx.000035.015000
- MACOM
- РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом DC-3.5GHz 15Watt 50V Gain 15.5dB Typ.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET16060C
- let16060c
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdMOST N-Ch 60W 13.8dB 1600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STAC150V2-350E
- stac150v2.350e
- STMicroelectronics
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК