Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
SHF-0289
- shf.0289
- Sirenza Microdevices Inc
- IC HFET ALGAAS/GAAS 1W SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 1.96GHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 400mA · Коэффициент шума: 4dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 7V · P1dB: 30.2dBm · Корпус: SOT-89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA211801F V4
- ptfa211801f.v4
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFB211501E V1 R250
- ptfb211501e.v1.r250
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFB211501F V1
- ptfb211501f.v1
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFB211501F V1 R250
- ptfb211501f.v1.r250
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFB211501E V1
- ptfb211501e.v1
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFB191501F V1 R250
- ptfb191501f.v1.r250
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFB191501F V1
- ptfb191501f.v1
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFB191501E V1 R250
- ptfb191501e.v1.r250
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFB191501E V1
- ptfb191501e.v1
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA261702E V1
- ptfa261702e.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.66GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 170Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA241301F V1
- ptfa241301f.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.42GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA260851F V1
- ptfa260851f.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA260451E V1
- ptfa260451e.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: H30265-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA261301E V1
- ptfa261301e.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: H30260-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA261301F V1
- ptfa261301f.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA260851F V1 R250
- ptfa260851f.v1.r250
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA260851E V1
- ptfa260851e.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 85W H-30248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA241301E V1
- ptfa241301e.v1
- Infineon Technologies
- IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.42GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: H30260-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PTFA220081M V4
- ptfa220081m.v4
- INFINEON
- РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала RFP-LDMOS GOLDMOS 8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК