Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
SD57045
- sd57045
- STMicroelectronics, ST
- TRANSISTOR RF PWR LDMOST M243 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: M243
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD57060
- sd57060
- STMicroelectronics, ST
- TRANSISTOR RF PWR LDMOST M243 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт · Корпус: M243
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD57045-01
- sd57045.01
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR RF PWR LDMOST M250 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: M250
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD57030-01
- sd57030.01
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR RF PWR LDMOST M250 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: M250
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD57030
- sd57030
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR RF PWR LDMOST M243 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: M243
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD56150
- sd56150
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR RF POWER LDMOST M252 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 17A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 150Вт · Корпус: M252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD56120M
- sd56120m
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR RF PWR LDMOST M252 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 400mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: M252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD56120C
- sd56120c
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Power LDMOS Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD56120
- sd56120
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR RF PWR LDMOST M246 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 400mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: M246
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD4933
- sd4933
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD4931
- sd4931
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD3933
- sd3933
- STMicroelectronics
- IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M177 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 29dB · Номинальное напряжение: 250V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 100V · P1dB: 350Вт · Корпус: M177
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD3932
- sd3932
- STMicroelectronics
- IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 123MHz · Усиление: 26.8dB · Номинальное напряжение: 250V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 100V · P1dB: 425W · Корпус: M244
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD3931-10
- sd3931.10
- STMicroelectronics
- IC RF PWR TRANS HF/VHF/UHF M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 150MHz · Усиление: 21.3dB · Номинальное напряжение: 250V · Номинал тока: 10A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 100V · P1dB: 175W · Корпус: M174
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD2941-10R
- sd2941.10r
- STMicroelectronics
- IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 175W · Корпус: M174
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD2943W
- sd2943w
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD2942
- sd2942
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M244 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 350Вт · Корпус: M244
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD2942W
- sd2942w
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD2941-10W
- sd2941.10w
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SD2941-10
- sd2941.10
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 175W · Корпус: M174
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК