Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
SD2933-03
- sd2933.03
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2932W
- sd2932w
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2933
- sd2933
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 23.5dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: M177
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2931-12W
- sd2931.12w
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2932B
- sd2932b
- STMicroelectronics
- IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: M244
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2931-11
- sd2931.11
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: M246
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2931-10W
- sd2931.10w
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2932
- sd2932
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M244 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: M244
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2931-10
- sd2931.10
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: M174
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2931
- sd2931
- STMicroelectronics
- IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: M244
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2918
- sd2918
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 30Вт · Корпус: M113
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2902
- sd2902
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 15Вт · Корпус: M113
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2903
- sd2903
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M229 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: M229
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2904
- sd2904
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: M113
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SD2900
- sd2900
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 900mA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 5Вт · Корпус: M113
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPF-3143
- spf.3143
- Sirenza Microdevices Inc
- IC TRANS PHEMT 10GHZ SOT-343 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 19.9dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 180mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 40mA · Напряжение - тестовое: 5V · P1dB: 17.7dBm · Корпус: SC-70-4,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPF-2086TK
- spf.2086tk
- Sirenza Microdevices Inc
- IC TRANS PHEMT 6GHZ SOT-86 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 4GHz · Усиление: 18.7dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 140mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 40mA · Напряжение - тестовое: 5V · P1dB: 20dBm · Корпус: SOT-86
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SLD-2083CZ
- sld.2083cz
- Sirenza Microdevices Inc
- IC TRANSISTOR LDMOS 10W 2-SOIC Тип транзистора: LDMOS · Частота: 902MHz ~ 928MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 35V · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: 2-SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SLD-1083CZ
- sld.1083cz
- Sirenza Microdevices Inc
- IC TRANSISTOR LDMOS 3W 2-SOIC Тип транзистора: LDMOS · Частота: 902MHz ~ 928MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 35V · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 4Вт · Корпус: 2-SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SHF-0189
- shf.0189
- Sirenza Microdevices Inc
- IC HFET ALGAAS/GAAS .5W SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 1.96GHz · Усиление: 20.1dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 200mA · Коэффициент шума: 3.2dB · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 27.5dBm · Корпус: SOT-89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК