Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
PD54003-E
- pd54003.e
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD20015-E
- pd20015.e
- STMicroelectronics
- TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD20010STR-E
- pd20010str.e
- STMicroelectronics
- TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Forme
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD20015C
- pd20015c
- STMicroelectronics
- TRANS RF POWER LDMOST M243 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: M243
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD20015S-E
- pd20015s.e
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD20010TR-E
- pd20010tr.e
- STMicroelectronics
- TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Form
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD20010-E
- pd20010.e
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD20010S-E
- pd20010s.e
- STMicroelectronics
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PD84001
- pd84001
- STMicroelectronics
- TRANS RF POWER LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 18В · Номинал тока: 1.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 30dBm · Корпус: SOT-89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ON5204,127
- on5204.127
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура MOSFET RF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ON5402,518
- on5402.518
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура MOSFET RF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE651R479A-T1-A
- ne651r479a.t1.a
- NEC
- HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 27dBm · Корпус: 79A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE651R479A-A
- ne651r479a.a
- NEC
- HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 27dBm · Корпус: 79A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE6510179A-T1-A
- ne6510179a.t1.a
- NEC
- HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.8A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 32.5dBm · Корпус: 79A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE6510179A-A
- ne6510179a.a
- NEC
- HJ-FET GAAS 1.9GHZ 3W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.8A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 32.5dBm · Корпус: 79A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE650103M-A
- ne650103m.a
- NEC
- MESFET GAAS 2.7GHZ 3M Тип транзистора: MESFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 1.5A · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 40dBm · Корпус: 3M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE55410GR-AZ
- ne55410gr.az
- NEC
- MOSFET LD N-CHAN 28V 16-HTSSOP Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 250mA, 1A · Ток - тестовый: 20mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35.4dBm · Корпус: 16-TSSOP Exposed Pad, 16-eTSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE55410GR-T3-AZ
- ne55410gr.t3.az
- NEC
- MOSFET LD N-CHAN 28V 16-HTSSOP Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 250mA, 1A · Ток - тестовый: 20mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35.4dBm · Корпус: 16-TSSOP Exposed Pad, 16-eTSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE5531079A-A
- ne5531079a.a
- CEL
- РЧ транзисторы, МОП-структура 7.5Volts 460MHz LDMO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE5520379A-T1A-A
- ne5520379a.t1a.a
- NEC
- MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 915MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.5A · Напряжение - тестовое: 3.2V · P1dB: 35.5dBm · Корпус: 79A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК