Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Высокочастотные полевые транзисторы

Всего товаров: 2232

Изображения для NE5511279A-T1-A

NE5511279A-T1-A

  • ne5511279a.t1.a
  • NEC
  • MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 3A · Ток - тестовый: 400mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 40dBm · Корпус: 79A

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

  • ne3515s02.t1c.a
  • CEL
  • РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Low Noise Pseudomorphic

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3515S02-A

NE3515S02-A

  • ne3515s02.a
  • CEL
  • РЧ транзисторы на арсениде галлия X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3512S02-A

NE3512S02-A

  • ne3512s02.a
  • NEC
  • HJ-FET NCH 13.5DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 12GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.35dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

  • ne3512s02.t1c.a
  • NEC
  • HJ-FET NCH 13.5DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 12GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.35dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

  • ne3514s02.t1c.a
  • NEC
  • HJ-FET NCH 10DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 20GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.75dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3514S02-A

NE3514S02-A

  • ne3514s02.a
  • NEC
  • HJ-FET NCH 10DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 20GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.75dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

  • ne3511s02.t1c.a
  • CEL
  • РЧ транзисторы на арсениде галлия SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3510M04-A

NE3510M04-A

  • ne3510m04.a
  • NEC
  • HJ-FET N-CH 4GHZ M04 Тип транзистора: HFET · Частота: 4GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 97mA · Коэффициент шума: 0.45dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 11dBm · Корпус: M04

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A

  • ne3509m04.t2.a
  • NEC
  • AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 60mA · Коэффициент шума: 0.4dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 11dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3511S02-A

NE3511S02-A

  • ne3511s02.a
  • NEC
  • HJ-FET NCH 13.5DB S02 Тип транзистора: HFET · Частота: 12GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.3dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: S02

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3509M04-A

NE3509M04-A

  • ne3509m04.a
  • NEC
  • AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 60mA · Коэффициент шума: 0.4dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 11dBm · Корпус: S-Mini 4P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3503M04-T2-A

NE3503M04-T2-A

  • ne3503m04.t2.a
  • NEC
  • AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 12GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.45dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A

  • ne3508m04.t2.a
  • NEC
  • AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.45dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 18dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3508M04-A

NE3508M04-A

  • ne3508m04.a
  • NEC
  • AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.45dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 18dBm · Корпус: S-Mini 4P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE3503M04-A

NE3503M04-A

  • ne3503m04.a
  • NEC
  • AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 12GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.45dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE350184C

NE350184C

  • ne350184c
  • NEC
  • HJ-FET 20GHZ MICRO-X Тип транзистора: HFET · Частота: 20GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.7dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: Micro-X ceramic (84C)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE34018-T1-A

NE34018-T1-A

  • ne34018.t1.a
  • NEC
  • AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE34018-T1-64-A

NE34018-T1-64-A

  • ne34018.t1.64.a
  • NEC
  • AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для NE34018-T1

NE34018-T1

  • ne34018.t1
  • NEC
  • HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.

Применение

Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.

Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь