Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
NE34018-64-A
- ne34018.64.a
- NEC
- AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE34018-A
- ne34018.a
- NEC
- AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE25139-T1
- ne25139.t1
- NEC
- FET 900 MHZ SOT-143 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE25139-T1-U73
- ne25139.t1.u73
- NEC
- FET 900 MHZ SOT-143 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NE3510M04-T2-A
- ne3510m04.t2.a
- CEL
- РЧ транзисторы на арсениде галлия L-S Band Lo No Amp
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MW7IC2425NBR1
- mw7ic2425nbr1
- Freescale Semiconductor
- IC PWR AMP RF 2400MHZ TO-272-16 Ток выходной: 195mA · Частота: 2.45GHz · Усиление: 27.7dB · Корпус: TO-272-16 · Тип RF: ISM · Частота проверки: 2.45GHz · Напряжение питания: 28V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MW7IC2020NT1
- mw7ic2020nt1
- FREESCALE
- РЧ-усилитель HV7IC 2GHz 20W PQFN8X8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MW6S010NR1
- mw6s010nr1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MW6S010MR1
- mw6s010mr1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MW6S010GNR1
- mw6s010gnr1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2 Gull Wing
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MW6S010GMR1
- mw6s010gmr1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2 Gull Wing
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MW6S004NT1
- mw6s004nt1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.96GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 4Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35002N6T1
- mrfg35002n6t1
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 65mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 1.5Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35002N6AT1
- mrfg35002n6at1
- Freescale Semiconductor
- TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 65mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 1.5Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35003ANT1
- mrfg35003ant1
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10.8dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.3A · Ток - тестовый: 55mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35003ANR5
- mrfg35003anr5
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35002N6R5
- mrfg35002n6r5
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 65mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 1.5Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFE6VP8600HSR6
- mrfe6vp8600hsr6
- FREESCALE
- РЧ транзисторы, МОП-структура VHV6 600W NI1230S 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF9085LR5
- mrf9085lr5
- Freescale Semiconductor
- IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 17.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 105Вт · Корпус: NI-780
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35030R5
- mrfg35030r5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 15V · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 30Вт · Корпус: HF-600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК