Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
MRFG35020AR5
- mrfg35020ar5
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.5GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-360
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35020AR1
- mrfg35020ar1
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.5GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-360
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35010R5
- mrfg35010r5
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35010R1
- mrfg35010r1
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35010NT1
- mrfg35010nt1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35010MT1
- mrfg35010mt1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35010NR5
- mrfg35010nr5
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35010AR5
- mrfg35010ar5
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 140mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35010AR1
- mrfg35010ar1
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 140mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35010ANT1
- mrfg35010ant1
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 130mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 9Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35010ANR5
- mrfg35010anr5
- Freescale Semiconductor
- TRANS RF 10W 12V PWR FET NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 140mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35010
- mrfg35010
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35005NT1
- mrfg35005nt1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35005NR5
- mrfg35005nr5
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35005MT1
- mrfg35005mt1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35005MR5
- mrfg35005mr5
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF 3.5GHZ 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35005ANT1
- mrfg35005ant1
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35003NT1
- mrfg35003nt1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.3A · Ток - тестовый: 55mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35003NR5
- mrfg35003nr5
- Freescale Semiconductor
- TRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.3A · Ток - тестовый: 55mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRFG35003N6T1
- mrfg35003n6t1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 9dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК