Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
MRF1511NT1
- mrf1511nt1
- Freescale Semiconductor
- MOSFET RF N-CH PLD-1.5 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PLD-1.5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF150
- mrf150
- Freescale Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 150W 221-11/2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF148A
- mrf148a
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF141G
- mrf141g
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF137
- mrf137
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF136
- mrf136
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MRF134
- mrf134
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы, МОП-структура 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MPF102G
- mpf102g
- ON Semiconductor
- AMP JFET UHF N-CHAN 25V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 20mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MPF102
- mpf102
- Fairchild Semiconductor
- JFET AMP N-CH RF SS TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 20mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ310LT3G
- mmbfj310lt3g
- ON Semiconductor
- JFET N-CH 25V SOT-23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ310LT1
- mmbfj310lt1
- ON Semiconductor
- JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ309LT1G
- mmbfj309lt1g
- ON Semiconductor
- JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ310LT1G
- mmbfj310lt1g
- ON Semiconductor
- JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ309LT1
- mmbfj309lt1
- ON Semiconductor
- JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ310
- mmbfj310
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 450MHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Коэффициент шума: 3dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ309
- mmbfj309
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 450MHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 3dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ212
- mmbfj212
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 40mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ211
- mmbfj211
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 20mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК