Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
MAGX-000035-030000
- magx.000035.030000
- M/A-COM Technology Solutions
- РЧ транзисторы на арсениде галлия 30-3500MHz 50Volt 30W Pk Gain 25dB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MPF102_D27Z
- mpf102.d27z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 25V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 20mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MPF102_D74Z
- mpf102.d74z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET RF N-CH 25V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 20mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MMBFJ304
- mmbfj304
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH RF NPN 30V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9060STR
- let9060str
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9060TR
- let9060tr
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9150
- let9150
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Power LdmoST 150W 20 dB 860MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9120
- let9120
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9060
- let9060
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9060S
- let9060s
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9060F
- let9060f
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Power LdmoST 60W 18 dB 945MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9060C
- let9060c
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Power LdmoST 60W 18 dB 945MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9045S
- let9045s
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9045F
- let9045f
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9045
- let9045
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LET9045C
- let9045c
- ST MICRO
- РЧ транзисторы, МОП-структура RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
J310_D75Z
- j310.d75z
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 450MHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Коэффициент шума: 3dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
J310_D74Z
- j310.d74z
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 450MHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Коэффициент шума: 3dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
J310_D27Z
- j310.d27z
- Fairchild Semiconductor
- IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 450MHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Коэффициент шума: 3dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
J310ZL1G
- j310zl1g
- ON Semiconductor
- MOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК