Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Высокочастотные полевые транзисторы

Всего товаров: 2232

MMBFJ210

  • mmbfj210
  • Fairchild Semiconductor
  • IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 15mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMBF5485

  • mmbf5485
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 400MHz · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 10mA · Коэффициент шума: 4dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMBF5486

  • mmbf5486
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 400MHz · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 20mA · Коэффициент шума: 4dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMBF5484

  • mmbf5484
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 400MHz · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5mA · Коэффициент шума: 4dB · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMBF4416LT1

  • mmbf4416lt1
  • ON Semiconductor
  • MOSFET SS N-CHAN VHF 30V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMBF4416A

  • mmbf4416a
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CHANNEL SOT-23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 400MHz · Номинальное напряжение: 35V · Номинал тока: 15mA · Коэффициент шума: 4dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMBF4416LT1G

  • mmbf4416lt1g
  • ON Semiconductor
  • MOSFET SS N-CHAN VHF 30V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMBF4416

  • mmbf4416
  • Fairchild Semiconductor
  • IC AMP RF N-CHANNEL SOT-23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMBF102

  • mmbf102
  • Fairchild Semiconductor
  • JFET N-CHANNEL SOT-23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 20mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MD7P19130HSR5

  • md7p19130hsr5
  • Freescale Semiconductor
  • MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: NI-780HS-4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MD7P19130HR5

  • md7p19130hr5
  • Freescale Semiconductor
  • MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780H-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: NI-780H-4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MD7P19130HSR3

  • md7p19130hsr3
  • Freescale Semiconductor
  • MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: NI-780HS-4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MD7P19130HR3

  • md7p19130hr3
  • Freescale Semiconductor
  • MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780H-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: NI-780H-4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MAGX-003135-120L00

  • magx.003135.120l00
  • M/A-COM Technology Solutions
  • РЧ транзисторы на арсениде галлия 3.1-3.5GHz 50Volt 120W Pk Gain 11.5dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MAGX-002731-100L00

  • magx.002731.100l00
  • M/A-COM Technology Solutions
  • РЧ транзисторы на арсениде галлия 2.7-3.1GHz 50Volt 100W Pk Gain 12dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MAGX-002731-180L00

  • magx.002731.180l00
  • M/A-COM Technology Solutions
  • РЧ транзисторы на арсениде галлия 2.7-3.1GHz 50Volt 180W Pk Gain 11.6dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MAGX-001220-100L00

  • magx.001220.100l00
  • M/A-COM Technology Solutions
  • РЧ транзисторы на арсениде галлия 1.2-2.0GHz 50Volt 100W Pk Gain 15.1dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MAGX-001214-250L00

  • magx.001214.250l00
  • M/A-COM Technology Solutions
  • РЧ транзисторы на арсениде галлия 1.2-1.4GHz 50Volt 250W Pk Gain 17.8dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MAGX-002731-030L00

  • magx.002731.030l00
  • M/A-COM Technology Solutions
  • РЧ транзисторы на арсениде галлия 2.7-3.1GHz 50Volt 30W Pk Gain 11.6dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MAGX-001214-125L00

  • magx.001214.125l00
  • M/A-COM Technology Solutions
  • РЧ транзисторы на арсениде галлия 1.2-1.4GHz 50Volt 125W Pk Gain 18dB

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.

Применение

Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.

Основные сферы их применения включают:

  • Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
  • Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
  • Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
  • Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
  • Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
  • Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
  • Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.

Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.

Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь