Высокочастотные полевые транзисторы
Всего товаров: 2232
BLF574,112
- blf574.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT539A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 225MHz · Усиление: 26.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 56A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 400Вт · Корпус: 5-LDMOST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF647,112
- blf647.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT540A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 600MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 120W · Корпус: 4-LDMOST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF645,112
- blf645.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR PWR LDMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF573S,112
- blf573s.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 225MHz · Усиление: 27.2dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 42A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF571,112
- blf571.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 225MHz · Усиление: 27.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 3.6A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 20Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF548,112
- blf548.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT262A2 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 500MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 160A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-262A2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF546,112
- blf546.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT268A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 500MHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 9A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 80Вт · Корпус: SOT-268A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF544,112
- blf544.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT171A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 3.5A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 20Вт · Корпус: SOT-171A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF542,112
- blf542.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF DMOS SOT171A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 500MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 5Вт · Корпус: SOT-171A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF4G22S-100,112
- blf4g22s.100.112
- NXP Semiconductors
- BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF521,112
- blf521.112
- NXP Semiconductors
- РЧ транзисторы, МОП-структура TRANSISTOR UHF PWR DMOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF4G22LS-130,112
- blf4g22ls.130.112
- NXP Semiconductors
- BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF4G20S-110B,112
- blf4g20s.110b.112
- NXP Semiconductors
- BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF4G20-110B,112
- blf4g20.110b.112
- NXP Semiconductors
- BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF4G20LS-130,112
- blf4g20ls.130.112
- NXP Semiconductors
- BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.6dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF4G20LS-110B,112
- blf4g20ls.110b.112
- NXP Semiconductors
- BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.4dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF4G10LS-160,112
- blf4g10ls.160.112
- NXP Semiconductors
- BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894.2MHz · Усиление: 19.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 160W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF4G10LS-120,112
- blf4g10ls.120.112
- NXP Semiconductors
- BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 920MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 48W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BLF4G10-160,112
- blf4g10.160.112
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 19.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 160W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные полевые транзисторы (HF FET) представляют собой полупроводниковые устройства, специально разработанные для работы на высоких частотах.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные FET транзисторы отличаются высокой производительностью и надежностью, обеспечивая стабильную работу в условиях высокочастотной обработки сигналов.
Применение
Высокочастотные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники, где требуется работа на высоких частотах.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Устройства на основе высокочастотных полевых транзисторов предоставляют инженерам и разработчикам возможность эффективно управлять высокочастотными сигналами. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам, эти транзисторы находят применение в самых различных электронных и электротехнических устройствах. Их высокая эффективность и надежность обеспечивают длительную и стабильную работу в разнообразных условиях.
Высокочастотные полевые транзисторы позволяют осуществлять точное и быстрое управление сигналами, что является ключевым фактором для высокочастотных систем. Эти компоненты обеспечивают минимальные потери энергии и высокую линейность, что крайне важно для точных электронных схем. Их компактный размер и высокая степень интеграции способствуют удобному внедрению в сложные конструкции, обеспечивая надежную работу в самых разнообразных приложениях.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК