Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

BR24C01-WMN6TP

  • br24c01.wmn6tp
  • Rohm Semiconductor
  • IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8SOIC Тип памяти: EEPROMs - Serial · Тип памяти: EEPROM · Объем памяти: 1K (128 x 8) · Скорость: 400kHz · Интерфейс подключения: I²C, 2-Wire Serial · Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BR24C01-RMN6TP

  • br24c01.rmn6tp
  • Rohm Semiconductor
  • IC EEPROM 1KBIT 100KHZ 8SOIC Тип памяти: EEPROMs - Serial · Тип памяти: EEPROM · Объем памяти: 1K (128 x 8) · Скорость: 100кГц · Интерфейс подключения: I²C, 2-Wire Serial · Напряжение питания: 1.8 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BR24C02-10TU-2.7

  • br24c02.10tu.2.7
  • ROHM Semiconductor
  • EEPROM I2C 2K BIT 256 X 8 3.3V/5V 8PIN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BR24C01-WDS6TP

  • br24c01.wds6tp
  • Rohm Semiconductor
  • IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8TSSOP Тип памяти: EEPROMs - Serial · Тип памяти: EEPROM · Объем памяти: 1K (128 x 8) · Скорость: 400kHz · Интерфейс подключения: I²C, 2-Wire Serial · Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BR24C01-WDW6TP

  • br24c01.wdw6tp
  • Rohm Semiconductor
  • IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8TSSOP Тип памяти: EEPROMs - Serial · Тип памяти: EEPROM · Объем памяти: 1K (128 x 8) · Скорость: 400kHz · Интерфейс подключения: I²C, 2-Wire Serial · Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BR24C01-RDW6TP

  • br24c01.rdw6tp
  • Rohm Semiconductor
  • IC EEPROM 1KBIT 100KHZ 8TSSOP Тип памяти: EEPROMs - Serial · Тип памяти: EEPROM · Объем памяти: 1K (128 x 8) · Скорость: 100кГц · Интерфейс подключения: I²C, 2-Wire Serial · Напряжение питания: 1.8 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BR24C01-RDS6TP

  • br24c01.rds6tp
  • Rohm Semiconductor
  • IC EEPROM 1KBIT 100KHZ 8TSSOP Тип памяти: EEPROMs - Serial · Тип памяти: EEPROM · Объем памяти: 1K (128 x 8) · Скорость: 100кГц · Интерфейс подключения: I²C, 2-Wire Serial · Напряжение питания: 1.8 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BR24C01-MN6TP

  • br24c01.mn6tp
  • Rohm Semiconductor
  • IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8SOIC Тип памяти: EEPROMs - Serial · Тип памяти: EEPROM · Объем памяти: 1K (128 x 8) · Скорость: 400kHz · Интерфейс подключения: I²C, 2-Wire Serial · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BR24C01-DS6TP

  • br24c01.ds6tp
  • Rohm Semiconductor
  • IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8TSSOP Тип памяти: EEPROMs - Serial · Тип памяти: EEPROM · Объем памяти: 1K (128 x 8) · Скорость: 400kHz · Интерфейс подключения: I²C, 2-Wire Serial · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BR24C01-DW6TP

  • br24c01.dw6tp
  • Rohm Semiconductor
  • IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8TSSOP Тип памяти: EEPROMs - Serial · Тип памяти: EEPROM · Объем памяти: 1K (128 x 8) · Скорость: 400kHz · Интерфейс подключения: I²C, 2-Wire Serial · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4017YMC-70

  • bq4017ymc.70
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 16MBIT 70NS 36DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 16M (2M x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 36-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4016YMC-70

  • bq4016ymc.70
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 8M (1M x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 36-DIP M

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4016MC-70

  • bq4016mc.70
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 8M (1M x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 36-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4015YMA-85

  • bq4015yma.85
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 4MBIT 85NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4015YMA-70

  • bq4015yma.70
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4015MA-85

  • bq4015ma.85
  • Texas Instruments
  • IC NONVOLATILE SRAM 512KX8 32DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4015MA-70

  • bq4015ma.70
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DI

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4015LYMA-70N

  • bq4015lyma.70n
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 4M (512K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4014YMB-120

  • bq4014ymb.120
  • Texas Instruments
  • IC NONVOLATILE SRAM 256KX8 32DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4014YMB-85

  • bq4014ymb.85
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 2MBIT 85NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 2M (256K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь