Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Модули памяти

Всего товаров: 35537

Изображения для BQ4013YMA-70N

BQ4013YMA-70N

  • bq4013yma.70n
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-D

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4013YMA-85N

BQ4013YMA-85N

  • bq4013yma.85n
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 32-D

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4014MB-85

BQ4014MB-85

  • bq4014mb.85
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 2MBIT 85NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 2M (256K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DI

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4013YMA-70

BQ4013YMA-70

  • bq4013yma.70
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4013YMA-85

BQ4013YMA-85

  • bq4013yma.85
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4013YMA-120

BQ4013YMA-120

  • bq4013yma.120
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 120ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-D

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4010MA-85

BQ4010MA-85

  • bq4010ma.85
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-DI

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4011YMA-70N

BQ4011YMA-70N

  • bq4011yma.70n
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4013MA-85

BQ4013MA-85

  • bq4013ma.85
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-DI

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4013MA-120

BQ4013MA-120

  • bq4013ma.120
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 1M (128K x 8) · Скорость: 120ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 32-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4011YMA-200

BQ4011YMA-200

  • bq4011yma.200
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 200ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4011YMA-70

BQ4011YMA-70

  • bq4011yma.70
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4011YMA-150N

BQ4011YMA-150N

  • bq4011yma.150n
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 150ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4011YMA-150

BQ4011YMA-150

  • bq4011yma.150
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 150ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4011YMA-100

BQ4011YMA-100

  • bq4011yma.100
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 100ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4011MA-200

BQ4011MA-200

  • bq4011ma.200
  • Texas Instruments
  • IC NONVOLATILE SRAM 32KX8 28-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4011MA-100

BQ4011MA-100

  • bq4011ma.100
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 100ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4011MA-150

BQ4011MA-150

  • bq4011ma.150
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 150ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4011LYMA-70N

BQ4011LYMA-70N

  • bq4011lyma.70n
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 256K (32K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BQ4010MA-150

BQ4010MA-150

  • bq4010ma.150
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 150ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь