Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Модули памяти

Всего товаров: 35537

BQ4010YMA-85N

  • bq4010yma.85n
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28-D

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4010YMA-70N

  • bq4010yma.70n
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28-D

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4010YMA-85

  • bq4010yma.85
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 85ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4010YMA-70

  • bq4010yma.70
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-DIP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4010YMA-150N

  • bq4010yma.150n
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 150ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 28

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4010YMA-200

  • bq4010yma.200
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 200ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-D

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4010YMA-150

  • bq4010yma.150
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 150ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-D

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4010MA-70

  • bq4010ma.70
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 70ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-DI

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ4010MA-200

  • bq4010ma.200
  • Texas Instruments
  • IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP Тип памяти: RAM · Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) · Объем памяти: 64K (8K x 8) · Скорость: 200ns · Интерфейс подключения: Параллельный · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 28-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ2026LPR

  • bq2026lpr
  • Texas Instruments
  • EPROM 1.5K-B Serial EPROM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ2026DBZR

  • bq2026dbzr
  • Texas Instruments
  • EPROM 1.5K-B Serial EPROM

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ2024DBZRG4

  • bq2024dbzrg4
  • Texas Instruments
  • IC OTP 1.5KBIT SOT23-3 Тип памяти: EPROMs · Тип памяти: OTP EPROM · Объем памяти: 1.5K (6 pages x 32 bytes) · Интерфейс подключения: 1-Wire Serial · Рабочая температура: -20°C ~ 70°C · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ2024DBZR

  • bq2024dbzr
  • Texas Instruments
  • IC OTP 1.5KBIT SOT23-3 Тип памяти: EPROMs · Тип памяти: OTP EPROM · Объем памяти: 1.5K (6 pages x 32 bytes) · Интерфейс подключения: 1-Wire Serial · Рабочая температура: -20°C ~ 70°C · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ2022LPRE3

  • bq2022lpre3
  • Texas Instruments
  • IC OTP 1KBIT TO92-3 Тип памяти: EPROMs · Тип памяти: OTP EPROM · Объем памяти: 1K (4 pages x 32 bytes) · Интерфейс подключения: 1-Wire Serial · Рабочая температура: -20°C ~ 70°C · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ2022LPR

  • bq2022lpr
  • Texas Instruments
  • IC OTP 1KBIT TO92-3 Тип памяти: EPROMs · Тип памяти: OTP EPROM · Объем памяти: 1K (4 pages x 32 bytes) · Интерфейс подключения: 1-Wire Serial · Рабочая температура: -20°C ~ 70°C · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ2022DBZRG4

  • bq2022dbzrg4
  • Texas Instruments
  • IC OTP 1KBIT SOT23-3 Тип памяти: EPROMs · Тип памяти: OTP EPROM · Объем памяти: 1K (4 pages x 32 bytes) · Интерфейс подключения: 1-Wire Serial · Рабочая температура: -20°C ~ 70°C · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ2022DBZR

  • bq2022dbzr
  • Texas Instruments
  • IC OTP 1KBIT SOT23-3 Тип памяти: EPROMs · Тип памяти: OTP EPROM · Объем памяти: 1K (4 pages x 32 bytes) · Интерфейс подключения: 1-Wire Serial · Рабочая температура: -20°C ~ 70°C · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ2022ALPR

  • bq2022alpr
  • Texas Instruments
  • IC OTP 1KBIT TO92-3 Тип памяти: EPROMs · Тип памяти: OTP EPROM · Объем памяти: 1K (4 pages x 32 bytes) · Интерфейс подключения: 1-Wire Serial · Рабочая температура: -20°C ~ 70°C · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ2022ADBZRG4

  • bq2022adbzrg4
  • Texas Instruments
  • IC OTP 1KBIT SOT23-3 Тип памяти: EPROMs · Тип памяти: OTP EPROM · Объем памяти: 1K (4 pages x 32 bytes) · Интерфейс подключения: 1-Wire Serial · Рабочая температура: -20°C ~ 70°C · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BQ2022ADBZR

  • bq2022adbzr
  • Texas Instruments
  • IC OTP 1KBIT SOT23-3 Тип памяти: EPROMs · Тип памяти: OTP EPROM · Объем памяти: 1K (4 pages x 32 bytes) · Интерфейс подключения: 1-Wire Serial · Рабочая температура: -20°C ~ 70°C · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь