Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
MIAA20WE600TMH
- miaa20we600tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 29A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.1mA · Емкость @ Vce: 0.9nF @ 25V · Мощность макcимальная: 100Вт · Вход: Single Ph
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIAA15WD600TMH
- miaa15wd600tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 23A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.7nF @ 25V · Мощность макcимальная: 80Вт · Вход: Single Pha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIAA15WE600TMH
- miaa15we600tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 23A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.7nF @ 25V · Мощность макcимальная: 80Вт · Вход: Single Pha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIAA15WB600TMH
- miaa15wb600tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 23A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.7nF @ 25V · Мощность макcимальная: 80Вт · Вход: Three Phas
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIAA10WF600TMH
- miaa10wf600tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.45nF @ 25V · Мощность макcимальная: 70Вт · Вход: Three Pha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIAA10WE600TMH
- miaa10we600tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.45nF @ 25V · Мощность макcимальная: 70Вт · Вход: Single Ph
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIAA10WD600TMH
- miaa10wd600tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.45nF @ 25V · Мощность макcимальная: 70Вт · Вход: Single Ph
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIAA10WB600TMH
- miaa10wb600tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.45nF @ 25V · Мощность макcимальная: 70Вт · Вход: Three Pha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MG800J2YS50A
- mg800j2ys50a
- Powerex Inc
- IGBT MOD CMPCT 600V 800A Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 800A · Ток коллектора (макс): 800A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 93nF @ 10V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MG600Q2YS60A
- mg600q2ys60a
- Powerex Inc
- IGBT MOD CMPCT 1200V 600A Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 600A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 41nF @ 10V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MG600J2YS61A
- mg600j2ys61a
- Powerex Inc
- IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 600A Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 600A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 125nF @ 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MG400V2YS60A
- mg400v2ys60a
- Powerex Inc
- IGBT MOD CMPCT DUAL 1700V 400A Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 400A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 45nF @ 10V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MG400Q2YS60A
- mg400q2ys60a
- Powerex Inc, Mitsubishi
- IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 400A Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 400A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 31nF @ 10V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MG300Q2YS60A
- mg300q2ys60a
- Powerex Inc
- IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 300A Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 300A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 21nF @ 10V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MG400J2YS61A
- mg400j2ys61a
- Powerex Inc
- IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 400A Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 400A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 85nF @ 10V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MG200Q2YS60A
- mg200q2ys60a
- Powerex Inc
- IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 200A Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 15nF @ 10V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MG200J6ES61
- mg200j6es61
- Powerex Inc
- IGBT MOD CMPCT 600V 200A Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 40nF @ 10V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MG150J7KS61
- mg150j7ks61
- Powerex Inc
- IGBT MOD CMPCT 600V 150A Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 150A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 30nF @ 10V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MDI400-12E4
- mdi400.12e4
- IXYS
- MOD IGBT BUCK 1200V 420A Y3-LI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 420A · Мощность макcимальная: 1700W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y3-Li
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MDI550-12A4
- mdi550.12a4
- IXYS
- MOD IGBT BUCK 1200V 670A Y3-DCB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 670A · Мощность макcимальная: 2750W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y3-D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК