Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
MITB15WB1200TMH
- mitb15wb1200tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 29A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 1.1nF @ 25V · Мощность макcимальная: 100Вт · Вход: Three Ph
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MITA30WB600TMH
- mita30wb600tmh
- IXYS
- IGBT MODULE CBI MINIPACK2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1600V · Ток коллектора (макс): 40A · Вход: Стандарт · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: MiniPack2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MITA15WB1200TMH
- mita15wb1200tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 30A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 1.1nF @ 25V · Мощность макcимальная: 120W · Вход: Three Pha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MITB10WB1200TMH
- mitb10wb1200tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 17A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 70Вт · Вход: Three Pha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MITA10WB1200TMH
- mita10wb1200tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 17A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 70Вт · Вход: Three Pha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIO2400-17E10
- mio2400.17e10
- IXYS
- MOD IGBT SGL SWITCH 1700V E10 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 2400A · Ток коллектора (макс): 2400A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 120mA · Емкость @ Vce: 230nF @ 25V · Вход: Стандарт · NTC термис
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIO1800-17E10
- mio1800.17e10
- IXYS
- MOD IGBT SGL SWITCH 1700V E10 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1800A · Ток коллектора (макс): 1800A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 120mA · Емкость @ Vce: 166nF @ 25V · Вход: Стандарт · NTC термис
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIO1500-25E10
- mio1500.25e10
- IXYS
- IGBT MODULE SGL 1500A E10 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2500V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 1500A · Ток коллектора (макс): 1500A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100mA · Вход: Стандарт · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIO1200-33E10
- mio1200.33e10
- IXYS
- MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1200A · Ток коллектора (макс): 1200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 120mA · Емкость @ Vce: 187nF @ 25V · Вход: Стандарт · NTC термис
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIO1200-33E11
- mio1200.33e11
- IXYS
- IGBT MODULE SGL 1200A E11 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1200A · Ток коллектора (макс): 1200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 120mA · Вход: Стандарт · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIO1200-25E10
- mio1200.25e10
- IXYS
- MOD IGBT SGL SWITCH 2500V E10 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2500V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 1200A · Ток коллектора (макс): 1200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 120mA · Емкость @ Vce: 186nF @ 25V · Вход: Стандарт · NTC термис
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MII300-12A4
- mii300.12a4
- IXYS
- MOD IGBT RBSOA 1200V 330A Y3-DCB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 330A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 13mA · Емкость @ Vce: 13nF @ 25V · Мощность макcимальная: 1380W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MII150-12A4
- mii150.12a4
- IXYS
- MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 180A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 7.5mA · Емкость @ Vce: 6.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 760
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MID75-12A3
- mid75.12a3
- IXYS
- MOD IGBT RBSOA 1200V 900A Y3-DCB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 90A · Мощность макcимальная: 370W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y4-M5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MID550-12A4
- mid550.12a4
- IXYS
- MOD IGBT RBSOA 1200V 670A Y3-DCB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 670A · Мощность макcимальная: 2750W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y3-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MID400-12E4T
- mid400.12e4t
- IXYS
- MOD IGBT RBSOA 1200V 425A Y3-LI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 420A · Мощность макcимальная: 1700W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y3-L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MID400-12E4
- mid400.12e4
- IXYS
- MOD IGBT RBSOA 1200V 425A Y3-LI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 420A · Мощность макcимальная: 1700W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y3-L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MID150-12A4
- mid150.12a4
- IXYS
- MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 180A · Мощность макcимальная: 760W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y3-D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIAA20WB600TMH
- miaa20wb600tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 29A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.1mA · Емкость @ Vce: 0.9nF @ 25V · Мощность макcимальная: 100Вт · Вход: Three Pha
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MIAA20WD600TMH
- miaa20wd600tmh
- IXYS
- MODULE IGBT CBI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 29A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.1mA · Емкость @ Vce: 0.9nF @ 25V · Мощность макcимальная: 100Вт · Вход: Single Ph
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК