Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
MDI75-12A3
- mdi75.12a3
- IXYS
- MOD IGBT BUCK 1200V 90A Y4-M5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 90A · Мощность макcимальная: 370W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y4-M5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MDI200-12A4
- mdi200.12a4
- IXYS
- MOD IGBT BUCK 1200V 270A Y3-DCB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 270A · Мощность макcимальная: 1130W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y3-D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MDI150-12A4
- mdi150.12a4
- IXYS
- MOD IGBT BUCK 1200V 180A Y3-DCB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 180A · Мощность макcимальная: 760W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y3-DC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MDI100-12A3
- mdi100.12a3
- IXYS
- IGBT NPT BUCK 1200V 135A Y4-M5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 135A · Мощность макcимальная: 560W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y4-M5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MDI145-12A3
- mdi145.12a3
- IXYS
- IGBT NPT BUCK 1200V 160A Y4-M5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 160A · Мощность макcимальная: 700W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y4-M5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI150-06A8
- mwi150.06a8
- IXYS
- TRANS 16BIY 3-PH 600V 115AMP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 170A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.5mA · Емкость @ Vce: 6.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 515W · В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI200-06A8
- mwi200.06a8
- IXYS
- TRANS 16BIT 3-PH 600V 115A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 225A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.8mA · Емкость @ Vce: 9nF @ 25V · Мощность макcимальная: 675W · Вход:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MII100-12A3
- mii100.12a3
- IXYS
- IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 135A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA · Емкость @ Vce: 5.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 560W · Вход:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXYN82N120C3H1
- ixyn82n120c3h1
- Ixys
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT C3-Class 1200V/105A- Copack
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSN80N60BD1
- ixsn80n60bd1
- IXYS
- IGBT 600V SCSOA SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A · Ток коллектора (макс): 160A · Мощность макcимальная: 420W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSN80N60AU1
- ixsn80n60au1
- IXYS
- IGBT 100A 600V SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 80A · Ток коллектора (макс): 160A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniBLOC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSN62N60U1
- ixsn62n60u1
- IXYS
- IGBT 90A 600V SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 90A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniBLO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSN52N60AU1
- ixsn52n60au1
- IXYS
- IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSN55N120AU1
- ixsn55n120au1
- IXYS
- IGBT 80A 1200V SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniBLO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSN55N120A
- ixsn55n120a
- IXYS
- IGBT 1200V SCSOA SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSN50N60BD3
- ixsn50n60bd3
- IXYS
- IGBT 75A 600V SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniBLO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSN50N60BD2
- ixsn50n60bd2
- IXYS
- IGBT 75A 600V SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniBLO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSN35N120AU1
- ixsn35n120au1
- IXYS
- IGBT 70A 1200V SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-227B miniBL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXSN35N100U1
- ixsn35n100u1
- IXYS
- IGBT 64A 1000V SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 38A · Мощность макcимальная: 205Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN60N60C2
- ixgn60n60c2
- IXYS
- IGBT 600V 75A SOT-227B Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 480W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК