Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
IXGN82N120C3H1
- ixgn82n120c3h1
- Ixys
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 130Amps 1200V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN80N60A2D1
- ixgn80n60a2d1
- IXYS
- IGBT 600V 160A FRD SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 80A · Ток коллектора (макс): 160A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN72N60C3H1
- ixgn72n60c3h1
- IXYS
- IGBT 78A 600V SOT-227B Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 78A · Мощность макcимальная: 360W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN50N60BD3
- ixgn50n60bd3
- IXYS
- IGBT 600V FRD SOT-227B Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN72N60A3
- ixgn72n60a3
- IXYS
- IGBT 160A 600V SOT-227B Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 160A · Мощность макcимальная: 360W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN80N60A2
- ixgn80n60a2
- IXYS
- IGBT 600V 160A SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 80A · Ток коллектора (макс): 160A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN60N60C2D1
- ixgn60n60c2d1
- IXYS
- IGBT 600V 75A SOT-227B Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 480W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN320N60A3
- ixgn320n60a3
- IXYS
- IGBT 600V SOT-227B Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 320A · Мощность макcимальная: 735W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN200N60B3
- ixgn200n60b3
- IXYS
- IGBT 300A 600V SOT-227B Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 300A · Мощность макcимальная: 830W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN200N60A
- ixgn200n60a
- IXYS
- IGBT 300A 600V SOT-227B Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 600W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN50N60BD2
- ixgn50n60bd2
- IXYS
- IGBT 600V FRD SOT-227B Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN200N60B
- ixgn200n60b
- IXYS
- IGBT FAST 600V 200A SOT-227B Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 120A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 600W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN400N30A3
- ixgn400n30a3
- IXYS
- IGBT 300V SOT-227B Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 400A · Мощность макcимальная: 735W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN40N60CD1
- ixgn40n60cd1
- IXYS
- IGBT 600V SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniBLOC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN50N60B
- ixgn50n60b
- IXYS
- IGBT 75A 600V SOT-227B Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN400N60A3
- ixgn400n60a3
- IXYS
- IGBT 400A 600V SOT-227B Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 400A · Мощность макcимальная: 830W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN200N60A2
- ixgn200n60a2
- IXYS
- IGBT 600V 200A SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 700W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B mini
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN200N60
- ixgn200n60
- IXYS
- IGBT 300A 600V SOT-227B Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 600W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN120N60A3D1
- ixgn120n60a3d1
- IXYS
- IGBT 200A 600V SOT-227B Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 595W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGN100N160A
- ixgn100n160a
- IXYS
- IGBT 200A 1600V SOT-227B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1600V · Ток коллектора (макс): 200A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227B miniBLOC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК