Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
STGWA30M65DF2
- stgwa30m65df2
- STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
- Trench gate field-stop IGBT, series 650 low los
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGP10M65DF2
- stgp10m65df2
- STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
- Trench gate field-stop IGBT, series 650 low los
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB40H65FB
- stgb40h65fb
- STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
- Trench gate field-stop IGBT, series 650 high spee
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB10M65DF2
- stgb10m65df2
- STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
- Trench gate field-stop IGBT, series 650 low los
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT60N321(Q)
- gt60n321.q
- Toshiba
- IGBT 1000V 60A TO-3P LH Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 170Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT50J121(Q)
- gt50j121.q
- Toshiba
- IGBT 600V 50A TO-3P LH Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 240Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT30J121(Q)
- gt30j121.q
- Toshiba
- IGBT 600V 30A TO-3PN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 170Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT30J324(Q)
- gt30j324.q
- Toshiba
- IGBT DUAL 600V 30A TO-3PN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 170Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT15J311(SM,Q)
- gt15j311.sm.q
- Toshiba
- IGBT 600V 15A TO-220SM Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GT10J312(Q)
- gt10j312.q
- Toshiba
- IGBT 600V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 2-10S1C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GN2470K4-G
- gn2470k4.g
- Supertex
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 700V 3.5A IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GA35XCP12-247
- ga35xcp12.247
- GeneSiC Semiconductor
- Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A SIC IGBT CoPak
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH40N120ANTU
- fgh40n120antu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT 1200V TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 64A · Мощность макcимальная: 417W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF30N30TDTU
- fgpf30n30tdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 30A 300V TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A · Мощность макcимальная: 44.6W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FIO50-12BD
- fio50.12bd
- IXYS
- IC SWITCH BIDIR IGBT I4-PAC-5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS i
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FID60-06D
- fid60.06d
- IXYS
- IGBT CHOPPR BOOST ISOPLUS I4PAC5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 65A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS i
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FID36-06D
- fid36.06d
- IXYS
- IGBT CHOPPER ISOPLUS I4-PAC-5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 38A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS i4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FID35-06C
- fid35.06c
- IXYS
- IGBT CHOPPER FAST ISOPLUS I4PAC5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 38A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGY75N60SMD
- fgy75n60smd
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 75A Field Stop IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGS15N40LTF
- fgs15n40ltf
- Fairchild Semiconductor
- IGBT TRENCH N-CH 400V 8-SOP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4V, 130A · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК