Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
FGPF90N30
- fgpf90n30
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 220A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 30A · Мощность макcимальная: 56.8W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF7N60RUFDTU
- fgpf7n60rufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT RUF 600V 14A CO-PAK TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 41W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF70N33BTTU
- fgpf70n33bttu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 70A 330V TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 70A · Мощность макcимальная: 48W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF7N60LSDTU
- fgpf7n60lsdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 14A 600V COPAK TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 45Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pa
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF45N45TTU
- fgpf45n45ttu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 450V 45A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A · Мощность макcимальная: 51.6W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF70N30TTU
- fgpf70n30ttu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 70A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A · Мощность макcимальная: 49.2W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF70N30TDTU
- fgpf70n30tdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 70A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A · Мощность макcимальная: 49.2W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF70N30
- fgpf70n30
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 70A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A · Мощность макcимальная: 52Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF50N30TTU
- fgpf50n30ttu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 50A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 15A · Мощность макcимальная: 46.8W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF30N45TTU
- fgpf30n45ttu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 450V 30A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A · Мощность макcимальная: 50.4W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF30N30DTU
- fgpf30n30dtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 30A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A · Мощность макcимальная: 46Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF30N30TTU
- fgpf30n30ttu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 30A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A · Мощность макcимальная: 44.6W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGP5N60UFDTU
- fgp5n60ufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 10A 600V TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 81Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF30N30
- fgpf30n30
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 80A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A · Мощность макcимальная: 46Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGP5N60LS
- fgp5n60ls
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/5A Field Stop Low Vcesat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGP30N6S2D
- fgp30n6s2d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 45A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGP40N6S2
- fgp40n6s2
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGPF120N30TU
- fgpf120n30tu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 120A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 120A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGP30N6S2
- fgp30n6s2
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 45A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGP20N6S2
- fgp20n6s2
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 28A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК