Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
FGP20N6S2D
- fgp20n6s2d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 28A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGP20N60UFDTU
- fgp20n60ufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 40A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 165Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGP10N60UNDF
- fgp10n60undf
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A NPT IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGP15N60UNDF
- fgp15n60undf
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A NPT IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGL60N100DTU
- fgl60n100dtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 60A 1000V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 176W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGL60N100BNTDTU
- fgl60n100bntdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 180W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGL60N100BNTD
- fgl60n100bntd
- Fairchild Semiconductor, FAIR
- IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 180W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGL35N120FTDTU
- fgl35n120ftdtu
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A Trench IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGL40N120ANTU
- fgl40n120antu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT 1200V 64A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 64A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGL40N120ANDTU
- fgl40n120andtu
- Fairchild Semiconductor, FAIR
- IGBT NPT 1200V 64A TO264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 64A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGI40N60SFTU
- fgi40n60sftu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 80A 600V FIELD STOP I2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: I²Pak, TO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGI3236_F085
- fgi3236.f085
- Fairchild Semiconductor
- IGBT IGNITION N-CH 360V I2PAK Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 360V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 44A · Мощность макcимальная: 187W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH80N60FDTU
- fgh80n60fdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 80A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH80N60FD2TU
- fgh80n60fd2tu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 80A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH60N6S2
- fgh60n6s2
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CHAN SMPS 600V 75A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH75T65UPD
- fgh75t65upd
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 150A 187W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH60N60SMD
- fgh60n60smd
- FAIRCHILD, FAIR
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH75N60UFTU
- fgh75n60uftu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH 600V 75A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 150A · Мощность макcимальная: 452W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH60N60SFTU
- fgh60n60sftu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 120A · Мощность макcимальная: 378W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH60N60UFDTU
- fgh60n60ufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 120A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК