Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
FGH30N120FTDTU
- fgh30n120ftdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT TRENCH 1200V 30A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 339W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH20N6S2D
- fgh20n6s2d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 28A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH20N60SFDTU
- fgh20n60sfdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 40A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 165Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGH25N120FTDS
- fgh25n120ftds
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A Field Stop Trench IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGD3N60LSDTM
- fgd3n60lsdtm
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH 600V FOR HID APP DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A · Ток коллектора (макс): 6A · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPa
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGD2N40L
- fgd2n40l
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH 400V LL DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 2.4V, 2.5A · Ток коллектора (макс): 7A · Мощность макcимальная: 29Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGD3440G2_F085
- fgd3440g2.f085
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGD3040G2_F085
- fgd3040g2.f085
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB7N60UNDF
- fgb7n60undf
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 7A NPT IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB5N60UNDF
- fgb5n60undf
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 5A NPT IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB40N60SM
- fgb40n60sm
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB40N6S2T
- fgb40n6s2t
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB3236_F085
- fgb3236.f085
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB40N6S2
- fgb40n6s2
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB30N6S2D
- fgb30n6s2d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 45A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB30N6S2T
- fgb30n6s2t
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 45A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB30N6S2DT
- fgb30n6s2dt
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 45A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB30N6S2
- fgb30n6s2
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 45A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB3040CS
- fgb3040cs
- Fairchild Semiconductor
- IGBT ECOSPARK N-CH 400V TO263-6 Серия: EcoSPARK™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB20N6S2D
- fgb20n6s2d
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 28A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК