Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
FGAF40N60UFTU
- fgaf40n60uftu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT ULTRA FAST 600V TO-3PF Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PF-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGAF40N60UFDTU
- fgaf40n60ufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT FAST W/DIODE 600V TO-3PF Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PF-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB20N60SFD
- fgb20n60sfd
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 20A Field Stop IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB20N60SF
- fgb20n60sf
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 20A Field Stop IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA90N33ATDTU
- fga90n33atdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP TRENCH 330V 90A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 90A · Мощность макcимальная: 223W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGB20N6S2
- fgb20n6s2
- Fairchild Semiconductor
- IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 28A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA90N33ATTU
- fga90n33attu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP TRENCH 330V 90A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 90A · Мощность макcимальная: 223W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA90N30TU
- fga90n30tu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V LOW SW-LOSS TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 90A · Мощность макcимальная: 219W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA90N30DTU
- fga90n30dtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 10A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 90A · Мощность макcимальная: 219W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (Straight
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA70N33BTDTU
- fga70n33btdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 70A 330V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 70A · Мощность макcимальная: 149W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-39-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA60N65SMD
- fga60n65smd
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V, 60A Field Stop IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA50N60LS
- fga50n60ls
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 50A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 240Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (Straight L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA70N30TTU
- fga70n30ttu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 70A 300V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A · Мощность макcимальная: 201W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA50N100BNTD2
- fga50n100bntd2
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT 1000V 50A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 156W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-39-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA40N60UFDTU
- fga40n60ufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT ULTRAFAST 600V 40A TO3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 160W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA60N60UFDTU
- fga60n60ufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 120A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 120A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-39-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA40N65SMD
- fga40n65smd
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V, 40A Field Stop IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA50N100BNTDTU
- fga50n100bntdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT 50A 1000V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 156W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA70N30TDTU
- fga70n30tdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 70A 300V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A · Мощность макcимальная: 201W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA50N100BNTTU
- fga50n100bnttu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT 1000V 50A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 156W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-39-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК