Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
FGA30S120P
- fga30s120p
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Shorted AnodeTM IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA30N60LSDTU
- fga30n60lsdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 600V 60A TO-3PN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 480W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA30N120FTDTU
- fga30n120ftdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 30A 1200V TRENCH TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 339W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA25N120ANTU
- fga25n120antu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT TRENCH 1200V 25A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 310W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA25N120ANTDTU_F109
- fga25n120antdtu.f109
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT 25A 1200V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 312W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA25N120ANDTU
- fga25n120andtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT W/DIODE 1200V 25A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 310W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA180N33ATTU
- fga180n33attu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 180A · Мощность макcимальная: 390W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA25N120ANTDTU
- fga25n120antdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT TRENCH 1200V 50A TO3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 312W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA180N30DTU
- fga180n30dtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 10A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 180A · Мощность макcимальная: 480W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA25N120FTD
- fga25n120ftd
- Fairchild Semiconductor
- IGBT TRENCH 1200V 50A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 313W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (Strai
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA20N120FTDTU
- fga20n120ftdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT TRENCH 20A 1200V TO-3PN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA20S120M
- fga20s120m
- FAIRCHILD
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 20A SA FS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA15N120ANTDTU_F109
- fga15n120antdtu.f109
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT 15A 1200V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 186W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA15N120FTDTU
- fga15n120ftdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 1200V 15A TO-3PN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 220Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA120N30DTU
- fga120n30dtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT PDP 300V 10A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 120A · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (Straig
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA15N120ANTDTU
- fga15n120antdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT 1200V 15A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 186W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (Straig
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FGA15N120ANDTU
- fga15n120andtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT NPT TRENCH 1200V 15A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 24A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGTB50N65FL2WG
- ngtb50n65fl2wg
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- IGBT Field Sto
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGTB50N60FL2WG
- ngtb50n60fl2wg
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- IGBT Field Sto
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGTB15N120IHWG
- ngtb15n120ihwg
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- IGB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК