Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
APTC60SKM35T1G
- aptc60skm35t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 72A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14000pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60SKM24T1G
- aptc60skm24t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 95A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 95A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14400pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60DAM35T1G
- aptc60dam35t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 72A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14000pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60DAM18CTG
- aptc60dam18ctg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 143A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1036nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 143A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50N60JCU2
- apt50n60jcu2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7200pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50N60JCCU2
- apt50n60jccu2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50M75JLLU3
- apt50m75jllu3
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 25.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5590pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50M75JLLU2
- apt50m75jllu2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 25.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5590pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5010JVRU3
- apt5010jvru3
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 312nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7410pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5010JLLU3
- apt5010jllu3
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4360pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT40N60JCU3
- apt40n60jcu3
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7015pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT20M22JVRU3
- apt20m22jvru3
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 48.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 290nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 97A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8500pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT20M22JVRU2
- apt20m22jvru2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 48.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 290nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 97A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8500pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10M11JVRU3
- apt10m11jvru3
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 71A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 142A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8600pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10M11JVRU2
- apt10m11jvru2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 71A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 142A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8600pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM220-004P3-SMD SAM
- gwm220.004p3.smd.sam
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Ток @ 25°C: 180A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM220-004P3-SL SAM
- gwm220.004p3.sl.sam
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Ток @ 25°C: 180A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM120-0075P3-SMD SAM
- gwm120.0075p3.smd.sam
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Ток @ 25°C: 118A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM100-0085X1-SMD SAM
- gwm100.0085x1.smd.sam
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Напряжение (Vdss): 85V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM100-0085X1-SMD
- gwm100.0085x1.smd
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Напряжение (Vdss): 85V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК