Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
APTM20SKM05G
- aptm20skm05g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 317A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 448nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 317A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 27400pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DAM10TG
- aptm20dam10tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 175A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 224nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 175A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13700pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DAM08TG
- aptm20dam08tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 208A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 208A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14400pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DAM05G
- aptm20dam05g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 317A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 448nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 317A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 27400pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20DAM04G
- aptm20dam04g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 372A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 372A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28900pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120UM95FAG
- aptm120um95fag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 51.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1122nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 103A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 30900pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120UM70FAG
- aptm120um70fag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 85.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1650nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 171A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43500pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120UM70DAG
- aptm120um70dag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 85.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1650nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 171A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43500pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120U10SAG
- aptm120u10sag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28900pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120U10DAG
- aptm120u10dag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28900pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120SK68T1G
- aptm120sk68t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6696pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120SK56T1G
- aptm120sk56t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7736pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120SK29TG
- aptm120sk29tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 374nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10300pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120SK15G
- aptm120sk15g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 748nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20600pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120DA68T1G
- aptm120da68t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6696pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120DA56T1G
- aptm120da56t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7736pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120DA30T1G
- aptm120da30t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14560pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120DA29TG
- aptm120da29tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 374nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10300pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120DA15G
- aptm120da15g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 748nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20600pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10UM02FAG
- aptm10um02fag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 570A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 570A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40000pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК