Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
APTM10UM01FAG
- aptm10um01fag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 860A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 275A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 860A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60000pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10SKM05TG
- aptm10skm05tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 278A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 700nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 278A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20000pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10SKM02G
- aptm10skm02g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 495A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 495A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40000pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10DAM05TG
- aptm10dam05tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 278A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 700nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 278A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20000pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10DAM02G
- aptm10dam02g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 495A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 495A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40000pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100UM65SAG
- aptm100um65sag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 72.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1068nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 145A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28500pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100UM65DAG
- aptm100um65dag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 72.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1068nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 145A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28500pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100UM60FAG
- aptm100um60fag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 64.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1116nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 129A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 31100pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100UM45FAG
- aptm100um45fag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 107.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1602nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 215A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42700pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100UM45DAG
- aptm100um45dag
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 107.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1602nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 215A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42700pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100U13SG
- aptm100u13sg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 65A J3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 32.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2000nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 31600pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100SKM90G
- aptm100skm90g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 744nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 78A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20700pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100SK40T1G
- aptm100sk40t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100SK33T1G
- aptm100sk33t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7868pF @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100SK18TG
- aptm100sk18tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 372nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10400pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100DAM90G
- aptm100dam90g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 744nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 78A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20700pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100DA40T1G
- aptm100da40t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100DA33T1G
- aptm100da33t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7868pF @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80SK15T1G
- aptc80sk15t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 28A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4507pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80DA15T1G
- aptc80da15t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 28A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4507pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК