Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
APTM100H35FTG
- aptm100h35ftg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Ток @ 25°C: 22A · Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100H35FT3G
- aptm100h35ft3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Ток @ 25°C: 22A · Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100H18FG
- aptm100h18fg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 372nC @ 10V · Ток @ 25°C: 43A · Емкость @ Vds: 10400pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандар
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100DUM90G
- aptm100dum90g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 744nC @ 10V · Ток @ 25°C: 78A · Емкость @ Vds: 20700pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100DU18TG
- aptm100du18tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 372nC @ 10V · Ток @ 25°C: 43A · Емкость @ Vds: 10400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100DSK35T3G
- aptm100dsk35t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BUCK CHOP SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Ток @ 25°C: 22A · Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100DDA35T3G
- aptm100dda35t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Ток @ 25°C: 22A · Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100AM90FG
- aptm100am90fg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE PHASE LEG SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 744nC @ 10V · Ток @ 25°C: 78A · Емкость @ Vds: 20700pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100A46FT1G
- aptm100a46ft1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Ток @ 25°C: 19A · Емкость @ Vds: 6800pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100A40FT1G
- aptm100a40ft1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 18A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Ток @ 25°C: 21A · Емкость @ Vds: 7868pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100A23STG
- aptm100a23stg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PHASE LEG SER/PAR DIO SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 308nC @ 10V · Ток @ 25°C: 36A · Емкость @ Vds: 8700pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стан
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100A23SCTG
- aptm100a23sctg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PHASE LEG SER/SIC DIO SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 308nC @ 10V · Ток @ 25°C: 36A · Емкость @ Vds: 8700pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стан
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100A18FTG
- aptm100a18ftg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MODULE PHASE LEG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 372nC @ 10V · Ток @ 25°C: 43A · Емкость @ Vds: 10400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Станда
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100A13SG
- aptm100a13sg
- Microsemi-PPG
- PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 562nC @ 10V · Ток @ 25°C: 65A · Емкость @ Vds: 15200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Ст
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100A13DG
- aptm100a13dg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PHASE LEG SERIES DIO SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 562nC @ 10V · Ток @ 25°C: 65A · Емкость @ Vds: 15200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Ст
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100A12STG
- aptm100a12stg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PHASE LEG SCHTKY/PAR LP8W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 34A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 616nC @ 10V · Ток @ 25°C: 68A · Емкость @ Vds: 17400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Ста
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM08TDUM04PG
- aptm08tdum04pg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 153nC @ 10V · Ток @ 25°C: 120A · Емкость @ Vds: 4530pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM08TAM04PG
- aptm08tam04pg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 153nC @ 10V · Ток @ 25°C: 120A · Емкость @ Vds: 4530pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80TDU15PG
- aptc80tdu15pg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80TA15PG
- aptc80ta15pg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК