Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
APTC80H29T3G
- aptc80h29t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Ток @ 25°C: 15A · Емкость @ Vds: 2254pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80H29T1G
- aptc80h29t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Ток @ 25°C: 15A · Емкость @ Vds: 2254pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80H29SCTG
- aptc80h29sctg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Ток @ 25°C: 15A · Емкость @ Vds: 2254pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80H15T3G
- aptc80h15t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80H15T1G
- aptc80h15t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80DSK29T3G
- aptc80dsk29t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BUCK CHOP SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Ток @ 25°C: 15A · Емкость @ Vds: 2254pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80DSK15T3G
- aptc80dsk15t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80DDA29T3G
- aptc80dda29t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Ток @ 25°C: 15A · Емкость @ Vds: 2254pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80DDA15T3G
- aptc80dda15t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80AM75SCG
- aptc80am75scg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 364nC @ 10V · Ток @ 25°C: 56A · Емкость @ Vds: 9015pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80A15T1G
- aptc80a15t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80A15SCTG
- aptc80a15sctg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC80A10SCTG
- aptc80a10sctg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 21A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 273nC @ 10V · Ток @ 25°C: 42A · Емкость @ Vds: 6761pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60TDUM35PG
- aptc60tdum35pg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60TAM35PG
- aptc60tam35pg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60HM70T3G
- aptc60hm70t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60HM70T1G
- aptc60hm70t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD BULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60HM70SCTG
- aptc60hm70sctg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60HM45T1G
- aptc60hm45t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Ток @ 25°C: 49A · Емкость @ Vds: 7200pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60HM35T3G
- aptc60hm35t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК