Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
APTC60DSKM70T3G
- aptc60dskm70t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60DSKM35T3G
- aptc60dskm35t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60DDAM70T3G
- aptc60ddam70t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD BOOST CHOPPER SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60DDAM35T3G
- aptc60ddam35t3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD BOOST CHOPPER SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60AM70T1G
- aptc60am70t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60AM45T1G
- aptc60am45t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Ток @ 25°C: 49A · Емкость @ Vds: 7200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60AM35SCTG
- aptc60am35sctg
- Microsemi-PPG
- POWER MODULE MOSFET 600V 72A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60AM18SCG
- aptc60am18scg
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD SER/SIC DIO SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1036nC @ 10V · Ток @ 25°C: 143A · Емкость @ Vds: 28000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VWM350-0075P
- vwm350.0075p
- IXYS
- MODULE VWM 6PACK 340A 75V V2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 250A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 450nC @ 10V · Ток @ 25°C: 340A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VWM200-01P
- vwm200.01p
- IXYS
- MODULE VWM 6PACK 210A 100V V2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 100A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 430nC @ 10V · Ток @ 25°C: 210A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMO550-01F
- vmo550.01f
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2000nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 590A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMO80-05P1
- vmo80.05p1
- IXYS
- MOSFET N-CH ECO-PAC2 FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Chassis Mount · Package / Case: ECO-PAC2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMO40-05P1
- vmo40.05p1
- IXYS
- MOSFET N-CH ECO-PAC2 FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Chassis Mount · Package / Case: ECO-PAC2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMO1200-01F
- vmo1200.01f
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 932A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2520nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1245A · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMO1600-02P
- vmo1600.02p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 1600A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2900nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1900A · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMO150-01P1
- vmo150.01p1
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 165A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9400
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMM85-02F
- vmm85.02f
- IXYS
- MOSFET MOD PHASE LEG 200V Y4 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 450nC @ 10V · Ток @ 25°C: 84A · Емкость @ Vds: 15000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: С
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMM90-09F
- vmm90.09f
- IXYS
- MOSFET MOD PHASE LEG 900V Y3-LI Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 65A, 10V · Напряжение (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 960nC @ 10V · Ток @ 25°C: 85A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Chassis
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMM300-03F
- vmm300.03f
- IXYS
- MOSFET MOD PHASE LEG 300V Y3-DCB Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 145A, 10V · Напряжение (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1440nC @ 10V · Ток @ 25°C: 290A · Емкость @ Vds: 40nF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMM1500-0075P
- vmm1500.0075p
- IXYS
- MOSFET MOD DUAL PHASE 750V Y3-LI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 1200A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2480nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1500A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК