Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
VMM1000-01P
- vmm1000.01p
- IXYS
- MOSFET MOD PHASE LEG 100V Y3-LI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 800A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2355nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1000A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMK90-02T2
- vmk90.02t2
- IXYS
- MOSFET MOD DUAL COMMON TO-240AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 450nC @ 10V · Ток @ 25°C: 83A · Емкость @ Vds: 15000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMK165-007T
- vmk165.007t
- IXYS
- MOSFET MOD DUAL COMMON TO-240AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 82.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 480nC @ 10V · Ток @ 25°C: 165A · Емкость @ Vds: 8.8nF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VKM40-06P1
- vkm40.06p1
- IXYS
- MOSFET H-BRIDGE 600V ECO-PAC2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Ток @ 25°C: 38A · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VHM40-06P1
- vhm40.06p1
- IXYS
- MOSFET COOL 600V 38A ECO-PAC2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Ток @ 25°C: 38A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ECO-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMO650-01F
- vmo650.01f
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 690A MODULE Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 690A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VMO580-02F
- vmo580.02f
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 580A MODULE Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 430A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2750nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 580A · FET Polarity: N-Channel · FET Feat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VM0550-2F
- vm0550.2f
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 590A MODULE Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2000nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 590A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE70NM50
- ste70nm50
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 266nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE70NM60
- ste70nm60
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 266nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE53NC50
- ste53nc50
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 27A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 434nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11200p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE48NM60
- ste48nm60
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 134nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE48NM50
- ste48nm50
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE40NK90ZD
- ste40nk90zd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 826nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 25000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE45NK80ZD
- ste45nk80zd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 781nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 260
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE40NC60
- ste40nc60
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 430nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE30NK90Z
- ste30nk90z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 490nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE26NA90
- ste26na90
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 660nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1770pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE250NS10
- ste250ns10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 125A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 900nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STE180NE10
- ste180ne10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 795nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК