Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
STE110NS20FD
- ste110ns20fd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 504nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXUN350N10
- ixun350n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 175A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 640nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 27000pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN46N50L
- ixtn46n50l
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 20V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN550N055T2
- ixtn550n055t2
- Ixys
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN600N04T2
- ixtn600n04t2
- Ixys
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN62N50L
- ixtn62n50l
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 20V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 550nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11500pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN79N20
- ixtn79n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227 Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 79A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Chassis Mount · Package / Case: SOT-227B miniBLOC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN36N50
- ixtn36n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227 Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Chassis Mount · Package / Case: SOT-227B miniBLOC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN30N100L
- ixtn30n100l
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 20V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 545nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13700pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN22N100L
- ixtn22n100l
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 20V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7050pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN200N10T
- ixtn200n10t
- GLENAIR
- 200A/100V/MOS/1U
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN17N120L
- ixtn17n120l
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 8.5A, 20V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8300pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKN75N60C
- ixkn75n60c
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 500nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKN40N60C
- ixkn40n60c
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN80N48
- ixfn80n48
- IXYS
- MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 480V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 989
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN90N30
- ixfn90n30
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN80N50Q2
- ixfn80n50q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 128
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN80N50
- ixfn80n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 989
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN72N55Q2
- ixfn72n55q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 258nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 105
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN70N60Q2
- ixfn70n60q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 720
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК