Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
IXFN38N100Q2
- ixfn38n100q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN36N60
- ixfn36n60
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 325nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN340N07
- ixfn340n07
- IXYS
- MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 490nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 340A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN36N100
- ixfn36n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN360N15T2
- ixfn360n15t2
- Ixys
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN34N80
- ixfn34n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN34N100
- ixfn34n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN36N110P
- ixfn36n110p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V (1.1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN32N80P
- ixfn32n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8820n
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN32N120P
- ixfn32n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN32N100P
- ixfn32n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN320N17T2
- ixfn320n17t2
- Ixys
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN30N120P
- ixfn30n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 310nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN280N085
- ixfn280n085
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 600nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 160
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN280N07
- ixfn280n07
- IXYS
- MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 120A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 420nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9400p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN30N110P
- ixfn30n110p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V (1.1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN26N90
- ixfn26n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN27N80Q
- ixfn27n80q
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 76
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN27N80
- ixfn27n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 97
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN26N120P
- ixfn26n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК