Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
IXFN26N100P
- ixfn26n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 197nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN25N90
- ixfn25n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN24N100
- ixfn24n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 267nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN240N15T2
- ixfn240n15t2
- Ixys
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN20N120P
- ixfn20n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 193nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN200N10P
- ixfn200n10p
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 760
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN200N07
- ixfn200n07
- IXYS
- MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 480nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN230N10
- ixfn230n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 690nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN180N15P
- ixfn180n15p
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN180N10
- ixfn180n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 91
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN150N10
- ixfn150n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN180N07
- ixfn180n07
- IXYS
- MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 480nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN140N30P
- ixfn140n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN170N10
- ixfn170n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 515nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN130N30
- ixfn130n30
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN120N20
- ixfn120n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN140N20P
- ixfn140n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 115A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN102N30P
- ixfn102n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 224nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN100N20
- ixfn100n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE80N50
- ixfe80n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9890p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК