Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
IXFE73N30Q
- ixfe73n30q
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 36.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE55N50
- ixfe55n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 27.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE48N50QD3
- ixfe48n50qd3
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE50N50
- ixfe50n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9400
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE44N50QD3
- ixfe44n50qd3
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE48N50Q
- ixfe48n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE44N60
- ixfe44n60
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE48N50QD2
- ixfe48n50qd2
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE44N50QD2
- ixfe44n50qd2
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE44N50Q
- ixfe44n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE39N90
- ixfe39n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 375nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE36N100
- ixfe36n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 455nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE34N100
- ixfe34n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 455nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE180N20
- ixfe180n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 158A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE24N100
- ixfe24n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE23N100
- ixfe23n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFE180N10
- ixfe180n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 176A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 91
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTN21N100
- ixtn21n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN82N60P
- ixfn82n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 41A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 23000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN80N50P
- ixfn80n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12700
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК