Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
IXFN73N30
- ixfn73n30
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN64N50P
- ixfn64n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN60N80P
- ixfn60n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN64N60P
- ixfn64n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN60N60
- ixfn60n60
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN48N60P
- ixfn48n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8860pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN180N20
- ixfn180n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 660nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN150N15
- ixfn150n15
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9100pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN44N50
- ixfn44n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 84
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN106N20
- ixfn106n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 106A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN100N50P
- ixfn100n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM70-01P2
- gwm70.01p2
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 35A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Ток @ 25°C: 70A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM220-004P3-SL
- gwm220.004p3.sl
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Ток @ 25°C: 180A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM220-004P3-SMD
- gwm220.004p3.smd
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Ток @ 25°C: 180A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM160-0055X1-SMD
- gwm160.0055x1.smd
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Ток @ 25°C: 150A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM160-0055X1-SL
- gwm160.0055x1.sl
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Ток @ 25°C: 150A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM160-0055P3
- gwm160.0055p3
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Ток @ 25°C: 160A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM120-0075X1-SMD
- gwm120.0075x1.smd
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Ток @ 25°C: 110A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM120-0075P3-SMD
- gwm120.0075p3.smd
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Ток @ 25°C: 118A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM100-01X1-SMD
- gwm100.01x1.smd
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A. 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Ток @ 25°C: 90A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК