Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
GWM120-0075P3
- gwm120.0075p3
- IXYS
- MOSFET MOD TRENCH ISOPLUS-DIL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Ток @ 25°C: 118A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM120-0075P3-SL
- gwm120.0075p3.sl
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Ток @ 25°C: 118A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM120-0075X1-SL
- gwm120.0075x1.sl
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Ток @ 25°C: 110A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GWM100-01X1-SL
- gwm100.01x1.sl
- IXYS
- IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A. 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Ток @ 25°C: 90A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FB180SA10
- fb180sa10
- Vishay/Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 108A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1070
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FA57SA50LC
- fa57sa50lc
- Vishay/Semiconductors
- MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 34A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 338nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FA38SA50LC
- fa38sa50lc
- Vishay/Semiconductors
- MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 420nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT80M60J
- apt80m60j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 80A SOT-227 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 600nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8024JLL
- apt8024jll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 14.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8014JLL
- apt8014jll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 285nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 72
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT77N60JC3
- apt77n60jc3
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 640nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 77A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13600pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60M80JVR
- apt60m80jvr
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 870nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60M75JVFR
- apt60m75jvfr
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1050nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60M75JLL
- apt60m75jll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 893
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60M75JVR
- apt60m75jvr
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1050nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60M75JFLL
- apt60m75jfll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 893
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60M60JFLL
- apt60m60jfll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 289nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 126
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60M60JLL
- apt60m60jll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 289nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 126
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT6013JLL
- apt6013jll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 19.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT58M50J
- apt58m50j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 340nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 135
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК