Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDB2570
- fdb2570
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 191
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB2552
- fdb2552
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB2572
- fdb2572
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1770
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB2532
- fdb2532
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 79A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5870p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB24AN06LA0
- fdb24an06la0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB20AN06A0
- fdb20an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB16AN08A0
- fdb16an08a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1857p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB14N30TM
- fdb14n30tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB14AN06LA0
- fdb14an06la0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 67A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB15N50
- fdb15n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB13AN06A0
- fdb13an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 135
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB12N50TM
- fdb12n50tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1315pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB10AN06A0
- fdb10an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 184
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB070AN06A0
- fdb070an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB060AN08A0
- fdb060an08a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB050AN06A0
- fdb050an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB035AN06A0
- fdb035an06a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 124nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB045AN08A0
- fdb045an08a0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 138nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDAF75N28
- fdaf75n28
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 280V 46A TO-3PF Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 280V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 144nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDAF62N28
- fdaf62n28
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 280V 36A TO-3PF Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 280V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4630pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК