Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BSO080P03NS3E G
- bso080p03ns3e.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO080P03S
- bso080p03s
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 136nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5890pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO064N03S
- bso064n03s
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 12A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3620pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO065N03MS G
- bso065n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 13A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO080P03NS3 G
- bso080p03ns3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO072N03S
- bso072n03s
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 12A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3230pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO033N03MS G
- bso033n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 17A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 124nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9600pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO052N03S
- bso052n03s
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 14A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5530pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO051N03MS G
- bso051n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 14A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO040N03MS G
- bso040n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 16A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5700pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSN304,126
- bsn304.126
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSN254A,126
- bsn254a.126
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 310mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSN254,126
- bsn254.126
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 310mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSN20,235
- bsn20.235
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 173mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 25pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSN20-7
- bsn20.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSN20,215
- bsn20.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 173mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 25pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL307SPT
- bsl307spt
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 805pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL307SP L6327
- bsl307sp.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 805pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL307SP
- bsl307sp
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 805pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL211SPT
- bsl211spt
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 654p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК