Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для STV250N55F3

STV250N55F3

  • stv250n55f3
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 68

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STV200N55F3

STV200N55F3

  • stv200n55f3
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 68

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STU95N4F3

STU95N4F3

  • stu95n4f3
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 40V 80A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STU90N4F3

STU90N4F3

  • stu90n4f3
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 40V 80A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STU8NM60ND

STU8NM60ND

  • stu8nm60nd
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 7A IPAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STU70N2LH5

STU70N2LH5

  • stu70n2lh5
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 25V 48A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STU6NF10

STU6NF10

  • stu6nf10
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 100V 6A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STU60N55F3

STU60N55F3

  • stu60n55f3
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 55V 80A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STU11NM60ND

STU11NM60ND

  • stu11nm60nd
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 10A IPAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STU10NM65N

STU10NM65N

  • stu10nm65n
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 650V 9A IPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STS5N15F4

STS5N15F4

  • sts5n15f4
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 150V 5A SO8 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2710pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STS5N15F3

STS5N15F3

  • sts5n15f3
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STS30N3LLH6

STS30N3LLH6

  • sts30n3llh6
  • STMicroelectronics, ST
  • MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4040pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STS14N3LLH5

STS14N3LLH5

  • sts14n3llh5
  • STMicroelectronics, ST
  • MOSFET N-CH 30V 14A SOIC-8 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STS10N3LH5

STS10N3LH5

  • sts10n3lh5
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 475pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STQ3NK50ZR-AP

STQ3NK50ZR-AP

  • stq3nk50zr.ap
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 1.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STP8NS25FP

STP8NS25FP

  • stp8ns25fp
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FP Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 77

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STP8NM60ND

STP8NM60ND

  • stp8nm60nd
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 50

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STP60NH2LL

STP60NH2LL

  • stp60nh2ll
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 24V 40A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 990pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для STP5NK65ZFP

STP5NK65ZFP

  • stp5nk65zfp
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь