Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STI25NM60ND
- sti25nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI23NM60ND
- sti23nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI23NM60N
- sti23nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI21NM60ND
- sti21nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI19NM65N
- sti19nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI17NF25
- sti17nf25
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI15NM60ND
- sti15nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI14NM65N
- sti14nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI12NM50N
- sti12nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI11NM60ND
- sti11nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF6NM60N
- stf6nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF5NK52ZD
- stf5nk52zd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 520V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF40NF03L
- stf40nf03l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 23A TO-220FP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF30NM60ND
- stf30nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 25A TO-220FP Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF30NM60N
- stf30nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 25A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF30NM50N
- stf30nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 27A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2740p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF24NM65N
- stf24nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF19NM65N
- stf19nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD9NM50N-1
- std9nm50n.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 570pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD95N4LF3
- std95n4lf3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 80A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК