Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STD8NM60ND
- std8nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD8NM60N-1
- std8nm60n.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 7A IPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD86N3LH5
- std86n3lh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD70N2LH5
- std70n2lh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 25V 48A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13000pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD70N02L-1
- std70n02l.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 25V 60A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 16V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD6NM60N-1
- std6nm60n.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 4.6A IPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD6N52K3
- std6n52k3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 525V 5A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 525V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 70W · Mounting T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD5N52U
- std5n52u
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK Серия: UltraFASTmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 525V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD40N2LH5
- std40n2lh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 25V 40A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 20V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD3NK60ZD
- std3nk60zd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 311p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD3NK50Z-1
- std3nk50z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 1.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD2NK70Z-1
- std2nk70z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 800mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD2NC45-1
- std2nc45.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 160pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD2HNK60Z-1
- std2hnk60z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 2A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD27N3LH5
- std27n3lh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 27A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 475pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD12NM50ND
- std12nm50nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 11A DPAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB8NM60N
- stb8nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB85NS04Z
- stb85ns04z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK Серия: SAFeFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 33V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB80NF55L-08-1
- stb80nf55l.08.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4350pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB80NF55-06-1
- stb80nf55.06.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 189nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК