Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STB80NF03L-04-1
- stb80nf03l.04.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB7NK80Z-1
- stb7nk80z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1138p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB7N52K3
- stb7n52k3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 3.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 525V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 90W · Moun
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB75NF75T4
- stb75nf75t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB6NM60N
- stb6nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB4NK60Z-1
- stb4nk60z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB30NM60ND
- stb30nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB30NM60N
- stb30nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB30NM50N
- stb30nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2740pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB24NM65N
- stb24nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB23NM60N
- stb23nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB21NK50Z
- stb21nk50z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 119nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB200N6F3
- stb200n6f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB19NM65N
- stb19nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB170NF04
- stb170nf04
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9000pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB15NM65N
- stb15nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB150NF04
- stb150nf04
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3650pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB14NM65N
- stb14nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB141NF55-1
- stb141nf55.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 142nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5300pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB141NF55
- stb141nf55
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 142nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5300pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК