Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STB12NM50ND
- stb12nm50nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB11NM60N-1
- stb11nm60n.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSU1N60BTU_WS
- ssu1n60btu.ws
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 450mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 215pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSR1N60BTM_WS
- ssr1n60btm.ws
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 450mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 215pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSR1N60BTM_F080
- ssr1n60btm.f080
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 450mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 215pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP42N03S2L13
- spp42n03s2l13
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1130p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP100N03S2L03
- spp100n03s2l03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8180pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPI100N03S2L-03
- spi100n03s2l.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 100A TO-262 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8180pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB160N04S2L-03
- spb160n04s2l.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIS426DN-T1-GE3
- sis426dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIS402DN-T1-GE3
- sis402dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 15V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR892DP-T1-GE3
- sir892dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 50A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2645pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR890DP-T1-GE3
- sir890dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 50A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2747pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR888DP-T1-GE3
- sir888dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 40A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5065pF @ 15V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR866DP-T1-GE3
- sir866dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4730pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR840DP-T1-GE3
- sir840dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V POWERPAK 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: PowerPAK® SO-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR496DP-T1-GE3
- sir496dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR492DP-T1-GE3
- sir492dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 12V 40A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3720pF @ 6V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR476DP-T1-GE3
- sir476dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6150pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR472DP-T1-GE3
- sir472dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 20A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 820pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК