Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI7478DP-T1-GE3
- si7478dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7465DP-T1-GE3
- si7465dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7463DP-T1-GE3
- si7463dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7461DP-T1-GE3
- si7461dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 14.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7460DP-T1-GE3
- si7460dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7459DP-T1-GE3
- si7459dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7456DP-T1-GE3
- si7456dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 9.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7454DP-T1-GE3
- si7454dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 5A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7450DP-T1-GE3
- si7450dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7439DP-T1-GE3
- si7439dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7434DP-T1-GE3
- si7434dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7431DP-T1-GE3
- si7431dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7430DP-T1-GE3
- si7430dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1735pF @ 50V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7415DN-T1-GE3
- si7415dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7414DN-T1-GE3
- si7414dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.6A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7411DN-T1-GE3
- si7411dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 11.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7405BDN-T1-GE3
- si7405bdn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 13.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 6V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7386DP-T1-GE3
- si7386dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7366DP-T1-GE3
- si7366dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 13A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7328DN-T1-GE3
- si7328dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 18.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2610pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК