Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI7802DN-T1-GE3
- si7802dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 435 mOhm @ 1.95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.24A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7790DP-T1-GE3
- si7790dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 50A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 20V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7788DP-T1-GE3
- si7788dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 50A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5370pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7784DP-T1-GE3
- si7784dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7758DP-T1-GE3
- si7758dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7150pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7748DP-T1-GE3
- si7748dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 50A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3770pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7742DP-T1-GE3
- si7742dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5300pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7738DP-T1-GE3
- si7738dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 30A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 7.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2100pF @ 75V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7726DN-T1-GE3
- si7726dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1765pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7720DN-T1-GE3
- si7720dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1790pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7718DN-T1-GE3
- si7718dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 15V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7686DP-T1-GE3
- si7686dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1220pF @ 15V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7658ADP-T1-GE3
- si7658adp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4590pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7634BDP-T1-GE3
- si7634bdp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7620DN-T1-GE3
- si7620dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 75V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7611DN-T1-GE3
- si7611dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 9.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1980pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7601DN-T1-GE3
- si7601dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1870pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7489DP-T1-GE3
- si7489dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pF @ 50V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7485DP-T1-GE3
- si7485dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7483ADP-T1-GE3
- si7483adp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 14A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК